［本站讯］7月18日上午，中科院“百人计划”研究员王旭光博士做客“先进材料的国际化趋势”项目，以“纳米时代的非挥发性存储”为题作专题报告。
    报告分为六大部分。首先王旭光博士从文学和材料工程两个角度，解读了非挥发性存储的含义和历史发展过程，指出非挥发性存储技术一直沿高容量、易传播的方向发展。第二部分，王旭光博士简要论述了半导体存储的基本原理和发展情况。他以日常生活中的半导体存储设备为例，介绍了从半导体纤维到日用设备的制备过程。他说，闪存元件的发展原受计算机CPU技术发展推动，每两年或一年半或18个月更新一回，由于CPU发展速度逐渐减缓，存储器技术的发展成为推动闪存元件发展的第一要素。同时，王旭光博士还介绍了单层单元（SLC）和多层单元（MLC），比较分析了NOR阵列结构和NAND阵列结构的不同原理和应用。在报告的第三部分，王旭光博士就关于sub-10nm的材料议题进行了阐述。他向大家展示了国际半导体技术路线图、沟通热电子注入效应示意图和fowler nordheim公式应用示意图，指出闪存的机制好，但其本质是自我破坏的过程，而电子冲撞界面导致的缺陷是实现破坏的关键。此外，他还分析了NOX对单元耐久性、阵列耐久性和记忆功能的影响。第四部分，王旭光博士提出了终极存储技术的发展要求，介绍了电子自旋式磁矩转换存储技术和三维存储工艺，并分析了终极存储的发展道路。之后，他主要阐述了固态存储技术，指出爆炸式增长的海量数据与缓慢增长的存储速度的矛盾关系，通过对比传统磁性存储技术和固态存储技术得出，固态存储技术具有高性能、低功耗、高可靠性、尺寸灵活等优势。最后，王旭光博士结合自身学习研究经历，针对国内材料工程现状，向同学们提出塑造“正直之人格、创新之思想、独立之精神”的要求，并希望同学们创造区别于别人的人生价值。
    王旭光，中国科学院“百人计划”研究员。本科毕业于北京清华大学材料系，硕士毕业于美国Rice大学电子工程系，博士毕业于美国德州大学奥斯丁分校电子工程系。从事半导体存储技术研究10年，承担过美国国家自然科学基金、MARCO、SRC等多个科研机构的半导体存储器的研究工作。对于传统闪存以及各种新型半导体存储技术如电子自旋磁矩，阻变存储，铁电存储等均具有第一手的研究经验。]